本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊,流經(jīng)各導(dǎo)體的電流比LPZOB區(qū)更小;本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能衰減,這取決于屏蔽措施。
本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊,但本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。
本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊和導(dǎo)走全部雷電流,本區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減。