當需要進一步減小流入的電流和電磁場強度時，應增設后續(xù)防雷區(qū)，并按照需要保護的對象所要求的環(huán)境區(qū)選擇后續(xù)防雷區(qū)的要求條件。

本區(qū)內的各物體不可能遭到直接雷擊，流經(jīng)各導體的電流比LPZO_B區(qū)更小；本區(qū)內的電磁場強度可能衰減，這取決于屏蔽措施。

本區(qū)內的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對應的雷電流直接雷擊，但本區(qū)內的電磁場強度沒有衰減。

本區(qū)內的各物體都可能遭到直接雷擊和導走全部雷電流，本區(qū)內的電磁場強度沒有衰減。

需要規(guī)定和控制雷擊電磁環(huán)境的那些區(qū)。