從天然硅中獲得達到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。