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半導(dǎo)體中費米能級隨著溫度的升高向禁帶中央移動,隨著雜質(zhì)濃度的提高向禁帶邊沿移動。
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EF-EC≥0的半導(dǎo)體叫簡并半導(dǎo)體,其施主濃度高于導(dǎo)帶底等效態(tài)密度。
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化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄,如GaN>GaP。
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