在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？