MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。