版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？