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單項選擇題

PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）

A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差

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單項選擇題

下列晶體缺陷中對其擴散速率影響最大的是（）

A.空位
B.填隙雜質(zhì)
C.自填隙
D.替位雜質(zhì)

單項選擇題

CZ法拉不出高阻單晶硅錠的主要原因是（）

A.氣相雜質(zhì)融入熔體再進入了硅錠
B.坩堝材料分解出的氧會進入硅錠
C.多晶硅原料純度不夠高
D.干鍋清洗不干凈造成

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