雙極型晶體管內部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結。

P溝增強型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導電溝道出現(xiàn)強反型時的最小柵極電壓，即半導體的表面勢大于費米勢時的柵極電壓。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

絕緣層材料質量影響MOS管的閾值電壓。