單項(xiàng)選擇題

縱向雙極導(dǎo)聯(lián)顯示時(shí)，F(xiàn)p₁－F₃為＋1OOμV，F(xiàn)₃－C₃為－200μV，C₃－P₃為＋150μV，P₃－O₁為＋150μV，以下解釋正確的是（）。

A.電場范圍從Fp₁到O₁均為負(fù)性，C₃的負(fù)性程度最大
B.電場范圍從Fp₁到O₁均為負(fù)性，F(xiàn)₃的負(fù)性程度大于P₃
C.電場范圍從F₃到P₃均為負(fù)性，C₃的負(fù)性程度大于F₃和P₃
D.電場范圍從F₃到P₃均為正性，C₃的正性程度大于F₃和P₃
E.電場范圍從F₃到P₃均為正性，F(xiàn)₃的正性程度大于P₃

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

關(guān)于50Hz陷波濾波，正確的是（）。

A.對(duì)腦波的形態(tài)沒有影響
B.主要用于消除交流電干擾
C.僅對(duì)50Hz的波有衰減作用
D.對(duì)快波沒有影響
E.發(fā)現(xiàn)交流電干擾只要開啟50Hz陷波濾波即可

單項(xiàng)選擇題

雙極導(dǎo)聯(lián)有許多優(yōu)點(diǎn)，以下不正確的是（）。

A.電場內(nèi)最大電壓的位點(diǎn)呈現(xiàn)位相倒置，即共用一個(gè)公共電極的兩個(gè)通道以相反的方向偏轉(zhuǎn)
B.消除受到干擾的參考電極的效用
C.通過位相倒置較為容易的確定局灶性異常
D.雙極導(dǎo)聯(lián)上的一個(gè)通道呈現(xiàn)腦波近乎直線時(shí)，可以排除該通道兩個(gè)記錄電極記錄位點(diǎn)處存在異常電位的可能
E.雙極導(dǎo)聯(lián)包括縱聯(lián)、橫聯(lián)、環(huán)聯(lián)等多種組合方式，有時(shí)某一波形在某一種導(dǎo)聯(lián)組合方式中顯示不清，而在另一種導(dǎo)聯(lián)方式中可能會(huì)顯示出來

縱向雙極導(dǎo)聯(lián)顯示時(shí)，F(xiàn)p1－F3為＋1OOμV，F(xiàn)3－C3為－200μV，C3－P3為＋150μV，P3－O1為＋150μV，以下解釋正確的是（）。

你可能感興趣的試題

關(guān)于50Hz陷波濾波，正確的是（）。

雙極導(dǎo)聯(lián)有許多優(yōu)點(diǎn)，以下不正確的是（）。

縱向雙極導(dǎo)聯(lián)顯示時(shí)，F(xiàn)p₁－F₃為＋1OOμV，F(xiàn)₃－C₃為－200μV，C₃－P₃為＋150μV，P₃－O₁為＋150μV，以下解釋正確的是（）。

關(guān)于50Hz陷波濾波，正確的是（）。

雙極導(dǎo)聯(lián)有許多優(yōu)點(diǎn)，以下不正確的是（）。