影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。