問答題

【計算題】已知突變PN結零偏勢壘電容為3pF，內建勢壘電壓為0.5V，計算10V反偏電壓時的勢壘電容。

答案：

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問答題

【簡答題】與CMOS工藝相比，GaAs工藝有什么主要特點？
答案： 與CMOS工藝相比，GaAs工藝具有速度高、噪聲小、驅動能力強的優(yōu)點。但其缺點是價格高、功耗大、成品率低。
問答題

【簡答題】GaAs HEMT與MESFET的主要區(qū)別是什么？
答案： HEMT也屬于FET的一種，它有與MESFET相似的結構。HEMT與MESFET之間的區(qū)別在于有源層。
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