A.純硅的費米能級位于帶隙正中央B.摻雜了鋁的硅的費米能級靠近價帶C.摻雜了鍺的硅的費米能級靠近導(dǎo)帶D.施主型半導(dǎo)體的費米能級靠近價帶
A.電子濃度增大B.硅的帶隙中出現(xiàn)了施主能級C.少子數(shù)量增大D.施主型載流子濃度就是多子濃度
A.它表明能量為E的狀態(tài)被占據(jù)的幾率B.取值范圍為0%~100%C.根據(jù)這個函數(shù),溫度越高,導(dǎo)帶能級被占據(jù)的幾率越小D.費米能級被占據(jù)的幾率是50%