最新試題
共價晶體不需考慮長程力的作用,表面能(Er)即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半:Er=1/2E 鍵。
題型:判斷題
簡述熱電偶真空規(guī)測量原理。
題型:問答題
靜高壓高溫直接轉變合成法,在合成中,除了所需的合成起始材料外,還要加其它催化劑,而讓起始材料在高壓高溫作用下直接轉變或化合成新物質(zhì)。
題型:判斷題
吸附平衡關系由吸附過程的方向和極限決定的,是吸附過程的基本依據(jù)。
題型:判斷題
簡述雜質(zhì)對擴散的影響。
題型:問答題
利用熱電偶的電勢與加熱元件的溫度有關,元件的溫度又與氣體的熱傳導有關,熱傳導量又與壓力成反比的原理來測量真空度的真空計。
題型:判斷題
簡述真空蒸鍍的原理。
題型:問答題
光學高溫計只要選取一定的波長,通常選λ=0.78μm。
題型:判斷題
反應氣體或生成物通過邊界層,是以擴散的方式來進行的,而使氣體分子進行擴散的驅動力,則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。
題型:判斷題
在CVD 技術中反應劑在室溫或不太高的溫度下最好是氣態(tài)或有較高的蒸氣壓而易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì),且有很高的純度。
題型:判斷題