A.高純鍺探測(cè)器是由Ge單晶制成
B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3
C.因?yàn)榧兌雀?,所以可以有很大的結(jié)區(qū),即敏感體積
D.耗盡層內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度不是一致的
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A.鋰漂移探測(cè)器不可以用來測(cè)量入射粒子的能量
B.Ge(Li)探測(cè)器須保存在低溫下
C.Si(Li)探測(cè)器可在常溫下保存
D.鋰漂移探測(cè)器能量分辨率高于NaI探測(cè)器
A.I區(qū)存在空間電荷
B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106Ω
C.I區(qū)為主要的探測(cè)器敏感區(qū)域
D.因?yàn)榭臻g電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場(chǎng)
A.Li為施主雜質(zhì)
B.鋰離子是用于漂移成探測(cè)器的唯一可用離子
C.基體用N型半導(dǎo)體
A.電流型前置放大器
B.電壓型前置放大器
C.電荷靈敏前置放大器
D.不需要使用前置放大器
A.結(jié)區(qū)的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng)
B.耗盡區(qū)的寬度與摻雜濃度無關(guān)
C.結(jié)區(qū)電容與外加電壓無關(guān)
D.外加電壓增大,耗盡層的寬度增加
最新試題
中子與物質(zhì)的相互作用不包括以下哪一種?()
關(guān)于加速器中子源,描述錯(cuò)誤的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
關(guān)于延遲符合,下列描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于真符合的描述錯(cuò)誤的是()。
下列關(guān)于反符合的描述正確的是()。
測(cè)量活度有相對(duì)法與絕對(duì)法,下列描述錯(cuò)誤的是()。
對(duì)于(D,D)反應(yīng)和(D,T)反應(yīng),下列描述正確的是()。
關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是()。
幾何因素對(duì)探測(cè)器測(cè)量活度的影響描述正確的是()。