A.高純鍺探測器是由Ge單晶制成B.雜質(zhì)濃度約為105個(gè)原子/cm3C.因?yàn)榧兌雀撸钥梢杂泻艽蟮慕Y(jié)區(qū),即敏感體積D.耗盡層內(nèi)的電場強(qiáng)度不是一致的
A.鋰漂移探測器不可以用來測量入射粒子的能量B.Ge(Li)探測器須保存在低溫下C.Si(Li)探測器可在常溫下保存D.鋰漂移探測器能量分辨率高于NaI探測器
A.I區(qū)存在空間電荷B.I區(qū)為耗盡層,但是電阻率低于106ΩC.I區(qū)為主要的探測器敏感區(qū)域D.因?yàn)榭臻g電荷的存在,平面型結(jié)構(gòu)I區(qū)內(nèi)不是均勻電場