注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。