A、使用高品質(zhì)的P型FZ單晶硅片 B、為了提高電池片表面的光封閉效率,形成了倒金字塔形的蝕刻表面 C、為了提高減反射膜的效率,采用了3層結(jié)構(gòu) D、在鈍化膜表面開設(shè)了小孔,由于在此形成電極,所以可以減少電極部分的金屬和硅的接觸面積
A、西藏 B、內(nèi)蒙古 C、山東 D、河南 E、云南
A、單晶硅 B、多晶硅 C、非晶硅 D、微晶硅