A、硫酸濃度降低 B、水分增加 C、內(nèi)阻增大 D、端電壓降低 E、內(nèi)阻減小
A、晶閘管導(dǎo)通角度越大、轉(zhuǎn)速越高 B、晶閘管導(dǎo)通角度越小、轉(zhuǎn)速越高 C、晶閘管導(dǎo)通角度越大、輸出電壓越高 D、晶閘管導(dǎo)通角度越小、晶閘管兩端電壓越高
A、磁場強度大、轉(zhuǎn)速高 B、磁場強度弱、轉(zhuǎn)速低 C、磁場強度大、轉(zhuǎn)速低 D、磁場強度弱、轉(zhuǎn)速高