版圖設計的基本前提是什么？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

集成電容主要有幾種結構？

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

MOS器件存在哪些二階效應？

由硅片生產的半導體產品，又被稱為（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標準單位制）？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？