單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體中的載流子為（）。

A、正離子
B、負(fù)離子
C、電子
D、自由電子和空穴


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1.單項(xiàng)選擇題硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為（）。

A、0.7，0.3
B、0.3，0.7
C、0.5，0.2
D、0.2，0.5

2.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體中的自由電子是（）形成的。

A、摻雜
B、能量擊發(fā)
C、摻雜與能量擊發(fā)

3.單項(xiàng)選擇題交流放大電路中的能量來源于（）。

A、輸入信號
B、輸出信號
C、三極管的放大作用
D、集電極電源

4.單項(xiàng)選擇題放大器接入負(fù)載后電壓放大倍數(shù)會(huì)（）。

A、增大
B、減小
C、不變

5.單項(xiàng)選擇題射極輸出器輸出電壓與輸入電壓的相位關(guān)系（）。

A、同相
B、反相
C、相差90°