問(wèn)答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？
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最新試題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無(wú)影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題