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問(wèn)答題鋁柵重疊設(shè)計(jì)方法雖然可解決鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)，但還存在哪些缺點(diǎn)？

CGS、CGD都增大了；柵極增長(zhǎng)，管子尺寸變大，集成度降低。

1.問(wèn)答題鋁柵MOS工藝的缺點(diǎn)是什么？

制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟，不容易對(duì)齊

2.問(wèn)答題MOS工藝包括有哪幾種？MOS工藝的重要參數(shù)是什么？什么是特征尺寸？

PMOS、NMOS、COMS、BiCMOS
溝道載流子特性、柵極材料、金屬層數(shù)、特征尺寸工藝可以實(shí)現(xiàn)的平面結(jié)構(gòu)的最小尺寸

3.問(wèn)答題與Si三極管相比，MESFET和HEMT存在哪些缺點(diǎn)？

（1）跨導(dǎo)相對(duì)低；
（2）閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度；
（3）驅(qū)動(dòng)電流??；
（4）閾值電壓變化大。

4.問(wèn)答題HEMT有更高截止頻率更高跨導(dǎo)和更低噪聲的原因？它的主要應(yīng)用領(lǐng)域是什么？

HEMT有源層中，沒(méi)有施主與電子的碰撞毫米波電路和光纖通信的超高速電路

5.問(wèn)答題由Si/SiGe材料系統(tǒng)研制的HEMT取得了哪些進(jìn)展？