二氧化硅按結構特點可將其分為結晶形跟非結晶形,熱氧化生長的SiO2為非結晶態(tài)。
CMP(CMP-chemical mechanical polishing)包括哪些過程?
包括:邊緣拋光:分散應力,減少微裂紋,降低位錯排與滑移線,降低因碰撞而產生碎片的機會。表面拋光:粗拋光,細拋光,精拋光
腐蝕方式:噴淋及浸泡