在電子探針中，測(cè)定X射線特征能量的譜儀為能量分散譜儀，簡(jiǎn)寫(xiě)為（）。

簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)材料發(fā)生衍射時(shí)，可以產(chǎn)生衍射的晶面為（）。

在熱分析技術(shù)中，利用程序溫控裝置，可以升溫、降溫，但不能測(cè)定材料在恒溫過(guò)程中發(fā)生的變化。

紅外光分為（）。

電子束與固體樣品作用時(shí)，會(huì)產(chǎn)生背散射電子。背反射電子的產(chǎn)額隨樣品（）的增加而增多。

差熱分析中，若試樣沒(méi)有熱效應(yīng)時(shí)，記錄儀所記錄的ΔT曲線，為水平直線，稱為（）。

掃描電鏡的二次電子像中，樣品表面的深凹槽底部產(chǎn)生較多二次電子，在熒光屏上這些部位的亮度較大。

1887年，Hertz建立了XPS技術(shù)的理論模型。

關(guān)于stokes線和anti-Stokes線，說(shuō)法正確的是（）。

掃描電鏡的背散射電子像中，圖像上亮區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)（）暗區(qū)對(duì)應(yīng)區(qū)域的原子序數(shù)。