單項(xiàng)選擇題可控硅導(dǎo)通后要使其關(guān)斷,必須()。
A.控制極加正向電壓
B.控制極加反向電壓
C.陽(yáng)極與陰極間加正向電壓
D.陽(yáng)極與陰極間加反向電壓
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1.單項(xiàng)選擇題高次諧波抑制的整定范圍是()。
A.10%—15%
B.10%—20%
C.10%—30%
D.10%—50%
2.單項(xiàng)選擇題高次諧波含量是指()的百分比。
A.I2+I3/I
B.I5/I
C.I3+I5/I
D.I2+I3+I5/I
3.單項(xiàng)選擇題二次諧波含量是指()的百分比。
A.I2/I
B.I2/I+I2
C.I/I2
D.I+I2/I2
4.單項(xiàng)選擇題電容器中的電場(chǎng)能量與極板間的電壓的平方()。
A.成正比
B.成反比
C.不成比例
D.相等
5.單項(xiàng)選擇題線(xiàn)圈的磁場(chǎng)能量與流過(guò)線(xiàn)圈中的電流的平方()。
A.成正比
B.成反比
C.不成比例
D.相等
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均衡充電方法敘述正確的是()
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