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填空題空間電荷區(qū)中不存在（），只有不能移動(dòng)的離子，其中靠近P區(qū)的是（）離子，靠近N區(qū)的是（）離子。所建電場(chǎng)有利于（）運(yùn)動(dòng)，阻礙（）運(yùn)動(dòng)。

1.問答題 電路如題圖（a）和（b）所示，各電容對(duì)信號(hào)可視為短路。

分別估算滿足深度反饋條件下的源電壓增益A_usf的表達(dá)式或數(shù)值

2.填空題使PN結(jié)正偏的方法是：將P區(qū)接（）電位，N區(qū)接（）電位。正偏時(shí)PN結(jié)處于（）狀態(tài)，反偏時(shí)PN結(jié)處于（）狀態(tài)。

3.問答題 電路如題圖（a）和（b）所示，各電容對(duì)信號(hào)可視為短路。

分別寫出反饋系數(shù)的表達(dá)式。

4.填空題在本征半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在P型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度；在N型半導(dǎo)體中，自由電子濃度（）空穴濃度。

5.填空題齊納擊穿時(shí)的擊穿電壓約（）V，當(dāng)反向擊穿電壓（）時(shí)，為雪崩擊穿。齊納擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)，而雪崩擊穿具有（）電壓溫度系數(shù)。