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問答題 一截在為10^-3cm²，摻有雜質(zhì)濃度N_A=10₁₃/cm³的P型硅樣品，在樣品內(nèi)加有強度為10³V/cm的電場，求：
（1）室外溫時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度。
（2）400K時樣品的電導(dǎo)率及流過樣品的電流密度。

1.問答題一截面為0.6cm²，長為1cm的n型GaAs樣品，設(shè)μ_n=8000cm²/V.s，n=10¹⁵cm³，試求該樣品的電阻。

2.問答題設(shè)電子遷移率為0.1cm²/V.s，硅的電子有效質(zhì)量m_cn=0.26m₀，如加以強度為10⁴V/m的電場，試求平均自由時間和平均自由程。

3.問答題在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設(shè)雜質(zhì)全部電離，求該材料的電阻率（設(shè)μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。

4.問答題本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當(dāng)摻入百萬分之一的A_s后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試計算其電導(dǎo)率比本征硅的電導(dǎo)率增大了多少倍？

5.問答題300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。