紅外輻射溫度計(jì)測(cè)量范圍是600至1600℃，基本誤差≤±10℃。

高溫反應(yīng)受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

MoSi2宜在低于1000℃下長(zhǎng)時(shí)間使用。

在電離真空計(jì)中，電子在飛行路途中產(chǎn)生的正離子數(shù)，正比于氣體密度n，在一定溫度下正比于氣體的壓力p。因此，可根據(jù)離子電流的大小指示真空度。

簡(jiǎn)述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

吸附質(zhì)從流體主體通過(guò)分子與對(duì)流擴(kuò)散穿過(guò)薄膜或邊界層傳遞到吸附劑的外表面，稱(chēng)之為外擴(kuò)散過(guò)程。

溫度的高低不必用數(shù)字來(lái)說(shuō)明，溫標(biāo)是溫度的數(shù)值表示方法。

CVD 技術(shù)中通過(guò)沉積反應(yīng)易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。

雙膜理論中在膜層以外的氣、液兩相主體中，由于流體充分湍動(dòng)，吸收質(zhì)濃度是不均勻的。

共價(jià)晶體不需考慮長(zhǎng)程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。