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對副載波陷波電路的要求為:吸收深度大于()dB、吸收帶寬為150—250kHz。
A、15
B、20
C、5
D、10
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混頻電路的核心是()器件。
A、線性
B、非線性
C、溫度補償
D、穩(wěn)壓
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圖像中頻是()MHz。
A、38
B、31.5
C、6.5
D、4.43
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