液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過(guò)飽和結(jié)晶。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類(lèi)抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）

目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷(xiāo)售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

低溫淀積二氧化硅生長(zhǎng)溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時(shí)黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復(fù)原狀。（）

在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。