厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗(yàn)晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標(biāo)志。（）

在半導(dǎo)體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

鈀．銀電阻的燒結(jié)分預(yù)燒結(jié)、燒結(jié)、降溫冷卻三個階段。（）

片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好，適于批量生產(chǎn)，應(yīng)用越來越普遍。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）

場效應(yīng)晶體管的柵源電壓變化可以控制漏電流變化。（）