在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

值稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)，是晶體管的一個重要參數(shù)，也是檢驗晶體管經(jīng)過硼、砷摻雜后的兩個pn結(jié)質(zhì)量優(yōu)劣的重要標志。（）

金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜，帶膠蒸發(fā)或濺射所需的金屬，然后在去除光致抗蝕劑膜的同時，把膠膜上的金屬一起去除干凈。（）

設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品不需經(jīng)嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強度的50％。（）

半導體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）

拋光片的電學參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

液相外延的原理是飽和溶液隨著溫度的降低產(chǎn)生過飽和結(jié)晶。（）

可靠性篩選可以剔除早期失效的產(chǎn)品。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構(gòu)成的復(fù)合體。（）