集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫出化學(xué)方程式。

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率，載流子濃度，遷移率，直徑、厚度、主參考面等。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

在半導(dǎo)體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

目前在半自動化和自動化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售，一般不能再退火，一經(jīng)退火反而壞了性能。（）

半導(dǎo)體芯片制造工藝對水質(zhì)的要求一般.（）