邏輯電路只能處理“非O即1“這兩個(gè)值。（）

退火處理能使金絲和硅鋁絲的抗斷強(qiáng)度下降。（）

遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導(dǎo)率就越高。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

硅MOSFET和硅JFET結(jié)構(gòu)相同。（）

厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復(fù)雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對(duì)燒結(jié)越有利。（）

設(shè)置的非破壞性鍵合拉力通常為最小鍵合強(qiáng)度的50％。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。（）

雙極晶體管中只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）