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輸入偏量電流補(bǔ)償電路如圖所示。當(dāng)I_BN＝I₁＋I(xiàn)_F＝100nA，I_BP＝80nA，使輸出誤差電壓V_or＝0V時(shí)，求平衡電阻R₂的值是多少？

如圖表示一BJT集成運(yùn)放電路。
（1）試判斷兩管T₁和T₂的兩個(gè)基極，哪個(gè)為同相端，哪個(gè)為反相端？
（2）分辨圖中的BJT中何者為射極耦合對(duì)、射極跟隨器、共射極放大器？并指明它們各自的功能。

電路如圖所示，電路中JFETT1、T2的g_m＝1.41mS，λ₁＝0.01V^－1，BJT的r_ce4＝100kΩ，電流源電流I_O＝1mA，動(dòng)態(tài)電阻r_O＝2000kΩ，R_L＝40kΩ。當(dāng)v_id＝40mV時(shí)，求輸出電壓v_o2、共模電壓增益A_vc2和共模抑制比K_CMR2。

電路如圖所示，電路參數(shù)如圖所示，已知JFET的I_DSS＝4mA，V_P＝－2V，T₁、T₂的g_m＝1.41mS，電流源電路T₃的g_m3＝2mS，電流源的動(dòng)態(tài)電阻R_AB＝2110kΩ。
（1）求電路A_vd2、A_vc2（從d₂輸出時(shí)）和K_CMR2；
（2）當(dāng)v_i1＝50mV，v_i2＝10mV時(shí)，求v_o2＝？

電路如圖所示，輸入信號(hào)電壓，已知電路中T₁～T₄參數(shù)g_m1＝g_m2，g_m3＝g_m4，r_ds1＝r_ds2，r_ds3＝r_ds4，證明電路的電壓增益為

電路如圖所示，T₁～T₄特性相同，設(shè)β＝107，r_bb’＝200Ω，V_BE＝0.7V，r_ce2＝r_ce4＝167kΩ，T₅的r_ce5＝100kΩ，R_e5＝100Ω，R_e6＝51Ω，R＝4.7kΩ，V_cc＝＋6V，－V_EE＝－6V。
（1）計(jì)算電路的偏置電流；
（2）求c₂端輸出時(shí)的差模電壓增益A_vd2、共模電壓增益A_vc2和共模抑制比K_CMR2；
（3）求差模輸入電阻R_id，從c₂看入的輸出電阻R_O。提示：

在如圖所示電路中，電流表的滿偏電流I_M為100μA，電表支路的電阻R_m為2kΩ，兩管的β＝50，V_BE＝0.7V，r_bb’＝300Ω，試計(jì)算：
（1）當(dāng)v_s1＝v_s2＝0時(shí)，每管的I_C、I_B、V_CE各為多少？
（2）為使電流表指針滿偏，需加多大的輸入電壓？

電路如圖所示，設(shè)BJT的β₁＝β₂＝30，β₃＝β₄＝100，V_BE1＝V_BE2＝0.6V，V_BE3＝V_BE4＝0.7V。試計(jì)算雙端輸入、單端輸出時(shí)的R_id、A_vd1、A_vc1及K_CMR1的值。

電路如圖所示，R_el＝R_e2＝100Ω，BJT的β＝100，V_BE＝0.6V，電流源動(dòng)態(tài)輸出電阻r_O＝100kΩ。
（1）當(dāng)v_i1＝0.01V、v_i2＝－0.01V時(shí)，求輸出電壓V_O′＝v_o1－v_o2的值；
（2）當(dāng)c₁、c₂間接入負(fù)載電阻R_L＝5.6kΩ時(shí)，求v0的值；
（3）單端輸出且R_L＝∞時(shí)，v_o2＝？求A_vd2、A_vc2和K_CMR2的值；
（4）求電路的差模輸入電阻R_id、共模輸入電阻R_ic和不接R_L時(shí)，單端輸出的輸出電阻R_o2。

電流源電路如圖所示，V_DD＝＋5V，－V_ss＝－5V，T₁～T₅為特性相同的NMOS管，V_T＝2V，K_n2＝K_n3＝K_n4＝K_n5＝0.25mA/V²，K_n1＝0.10mA/V²，λ＝0，求I_REF和I值。