n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

N溝增強(qiáng)型MOS管襯底材料是N型摻雜半導(dǎo)體。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個柵極截止電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。