絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

1947年，（）等人制造了第一個晶體管。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

柵極材料與半導體材料的功函數(shù)差會因半導體材料的摻雜濃度變化而變化。

MOS型場效應晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關的。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。