進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。