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CVD 裝置通常可以由氣源控制部件、沉積反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。
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判斷題
反應(yīng)氣體或生成物通過邊界層,是以擴(kuò)散的方式來進(jìn)行的,而使氣體分子進(jìn)行擴(kuò)散的驅(qū)動力,則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。
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CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。
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