單項選擇題

下列不是切片主要方法是（）

A、外圓切割
B、內圓切割
C、多線切割
D、單線切割

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單項選擇題

以下是制備a-SI的方法是（）

A.三氯氫硅還原法
B.輝光放電法
C.硅烷熱分解法
D.四氯化硅還原法

單項選擇題

下列不屬于減少暗電流和A因子的辦法是（）

A、抑制高摻雜效應
B、增加各區(qū)少子壽命
C、加強漂移場減少表面負荷
D、增加空間電荷區(qū)的復合能級