單項(xiàng)選擇題

SF₆充氣設(shè)備只有在（）中提高氣壓才能顯著提高氣隙的擊穿電壓。

A.均勻電場(chǎng)
B.稍不均勻電場(chǎng)
C.極不均勻電場(chǎng)

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單項(xiàng)選擇題

對(duì)極不均勻電場(chǎng)，當(dāng)棒為負(fù)極時(shí)，直流擊穿電壓與工頻擊穿電壓（幅值）相比（）。

A.要高得多
B.要低得多
C.接近相等

單項(xiàng)選擇題

初始電子崩頭部的大量正離子形成的空間電荷，使附近電場(chǎng)嚴(yán)重畸變，電子和正離子強(qiáng)烈復(fù)合，并向周圍發(fā)射大量光子，使附近氣體中出現(xiàn)光電離而產(chǎn)生新的電子，稱為（）。

A.新電子
B.一次電子
C.中子
D.二次電子

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