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單項(xiàng)選擇題
SF
6
充氣設(shè)備只有在()中提高氣壓才能顯著提高氣隙的擊穿電壓。
A.均勻電場(chǎng)
B.稍不均勻電場(chǎng)
C.極不均勻電場(chǎng)
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單項(xiàng)選擇題
對(duì)極不均勻電場(chǎng),當(dāng)棒為負(fù)極時(shí),直流擊穿電壓與工頻擊穿電壓(幅值)相比()。
A.要高得多
B.要低得多
C.接近相等
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單項(xiàng)選擇題
初始電子崩頭部的大量正離子形成的空間電荷,使附近電場(chǎng)嚴(yán)重畸變,電子和正離子強(qiáng)烈復(fù)合,并向周圍發(fā)射大量光子,使附近氣體中出現(xiàn)光電離而產(chǎn)生新的電子,稱為()。
A.新電子
B.一次電子
C.中子
D.二次電子
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