A.“D”型
B.“M”型
C.“N”型
D.“P”型
E.“R”型
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.N/2
B.S/2
C.NS
D.N/S
E.S/N
A.加速照射
B.減量照射
C.超分割照射
D.分次照射
E.分段照射
A.repair
B.reduplicate
C.repopulation
D.redistribution
E.reoxygenation
A.直角坐標(biāo)系
B.極坐標(biāo)系
C.扇形坐標(biāo)系
D.橢圓坐標(biāo)系
E.等離軸比線坐標(biāo)系
A.百分劑量
B.劑量梯度
C.劑量不確定度
D.劑量響應(yīng)梯度
E.劑量精度
最新試題
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證,包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測量系統(tǒng)。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
質(zhì)子束的優(yōu)勢在于布拉格峰形百分深度劑量分布。