A.相互作用的初始階段
B.帶電粒子損失一定能量之后
C.能量接近耗盡時
D.不同帶電粒子有不同行為
E.整個相互作用過程中電離損失不變
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.μ•HVL=0.693
B.μ/HVL=0.693
C.μ•HVL=0.963
D.μ/HVL=0.963
E.無固定關系
A.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長度的能量損失份額
B.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位長度的能量損失份額
C.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位長度的相互作用幾率
D.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
E.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率
A.“M”型
B.“N”型
C.“L”型
D.“P”型
E.“F”型
A.0.3r
B.0.4r
C.0.5r
D.0.75r
E.幾何中心
A.傳能線密度
B.線性碰撞阻止
C.質(zhì)量碰撞阻止
D.線性衰減系數(shù)
E.質(zhì)量衰減系數(shù)
A.入射帶電粒子與核外電子之間的庫侖力相互作用,使軌道電子獲得足夠的能量而引起原子電離
B.軌道電子獲得的能量不足以引起電離時,則會引起原子激發(fā)
C.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,會放出γ射線
D.處于激發(fā)態(tài)的原子在退激時,釋放出特征X射線或俄歇電子
E.被電離出來的軌道電子具有足夠的能量可進一步引起物質(zhì)電離,此稱為次級電離
A.原子核
B.同位素
C.核素
D.元素
E.核電荷素
A.1-10Kev
B.10-30Kev
C.30Kev-25Mev
D.25Mev-100Mev
E.100Mev-125Mev
A.K層
B.L層
C.M層
D.N層
E.P層
A.25
B.28
C.35
D.52
E.82
最新試題
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應達到()。
人體曲面校正的組織空氣比法或組織最大劑量比方法的修正因子CF的表達式是()。
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
治療證實是治療準確執(zhí)行的重要保證,包括驗證記錄系統(tǒng),射野影像系統(tǒng),活體劑量測量系統(tǒng)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時,應采用雙平面插植。
實際患者治療時,無環(huán)重定位技術的靶點位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術。
電磁掃描調(diào)強不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時間短的優(yōu)點,而且可實現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強治療。