單項(xiàng)選擇題

電子束劑量模型中尚未解決的問題不包括（）

A.原射電子的反向散射
B.電子束的小角度多級散射
C.不規(guī)則射野輸出因子的計(jì)算
D.斜入射對劑量影響的處理需進(jìn)一步完善
E.高能次級電子在不均勻組織中的劑量計(jì)算

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單項(xiàng)選擇題

機(jī)頭散射線的主要來源是（）

A.均整器
B.X射線靶
C.初級準(zhǔn)直器
D.二級準(zhǔn)直器
E.監(jiān)測電離室

單項(xiàng)選擇題

不均勻組織三維處理方式與一維處理方式對比（）

A.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度，而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
B.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所位置不均勻組織的厚度
C.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)位置不均勻組織的厚度
D.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀
E.前者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面及相鄰層面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀，而后者可考慮計(jì)算點(diǎn)所在平面內(nèi)不均勻組織的實(shí)際形狀