單項選擇題（）具有明顯的方向性和飽和性。
A、金屬鍵
B、共價鍵
C、離子鍵
D、化學鍵
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1.單項選擇題以下材料中，結晶過程中以非小平面方式生長的是（）
A.金屬鍺
B.透明環(huán)己烷
C.氧化硅
2.單項選擇題由于晶核產生于高畸變能區(qū)域，再結晶在（）部位不易形核。
A.大角度晶界和孿晶界
B.相界面
C.外表面
3.單項選擇題開始發(fā)生再結晶的標志是（）
A.產生多變化
B.新的無畸變等軸小晶粒代替變形組織
C.晶粒尺寸顯著增大
4.單項選擇題純金屬材料的再結晶過程中，最有可能在（）位置首先發(fā)生再結晶形核。
A.小角度晶界
B.孿晶界
C.外表面
5.單項選擇題再結晶晶粒長大的過程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界遷移的直接原因，晶界總是向著（）方向移動。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直