問答題

【簡答題】說明IGBT的結構組成特點。

答案： IGBT是一種新型復合器件。輸入部分為MOSFET，輸出部分為GTR，它綜合了MOSFET和GTR的優(yōu)點，具有輸入阻抗高...

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【簡答題】P-MOSFET的應用特點和選擇方法是什么？

答案： P.MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅動功率小，電路簡單。為了正確的控制P-MOSFET的...

【簡答題】GTR的應用特點和選擇方法是什么？

答案： G.TR的熱容量小，過載能力低，過載或短路產生的功耗可能在若干徽秒的時間內使結溫超過最大允許值而導致器件損壞。
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