多項(xiàng)選擇題以下哪幾項(xiàng)是集成電路制作工藝的（）。
A.SOP
B.BCD
C.BMOS
D.CMOS
E.BiMOS
F.BCG
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1.多項(xiàng)選擇題集成電路進(jìn)入納米尺寸時(shí)代后，將面臨以下主要挑戰(zhàn)：（）。
A.漏電流增大導(dǎo)致總功耗增加
B.柵極氧化膜厚度接近物理極限
C.電路規(guī)模增大導(dǎo)致動(dòng)態(tài)功耗增加
D.配線延遲不能相應(yīng)降低從而影響性能
最新試題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
下列對(duì)焊接可靠性無影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
塑封料的機(jī)械性能包括的模量有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題