單項(xiàng)選擇題

II-VI族化合物中的M空位V_m是（）。

A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

電子在晶體中的共有化運(yùn)動(dòng)是指（）。

A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對(duì)應(yīng)點(diǎn)的相位相同

單項(xiàng)選擇題

最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。

A.n
B.p
C.本征