單項選擇題Si中摻金的工藝主要用于制造（）器件。
A.高可靠性
B.高頻
C.大功率
D.高電壓
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1.單項選擇題若某半導(dǎo)體導(dǎo)帶中電子出現(xiàn)幾率為零，則此半導(dǎo)體必定（）。
A.處于絕對零度
B.不含任何雜質(zhì)
C.不含任何缺陷
D.不含施主
2.單項選擇題II-VI族化合物中的M空位Vm是（）。
A.點陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點缺陷
C.點陣中的點陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯
3.單項選擇題電子在晶體中的共有化運動是指（）。
A.電子在晶體中各處出現(xiàn)的幾率相同
B.電子在晶體原胞中各點出現(xiàn)的幾率相同
C.電子在晶體各原胞對應(yīng)點出現(xiàn)的幾率相同
D.電子在晶體各原胞對應(yīng)點的相位相同
4.單項選擇題最小電導(dǎo)率出現(xiàn)在（）型半導(dǎo)體。
A.n
B.p
C.本征
5.問答題硝酸（HNO3）。
最新試題
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
題型：判斷題
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
題型：填空題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓與襯底材料的摻雜濃度是有關(guān)的。
題型：判斷題
（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。
題型：填空題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。
題型：判斷題
P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
題型：判斷題
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
實際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。
題型：判斷題