A.本征半導(dǎo)體
B.金屬
C.化合物半導(dǎo)體
D.摻雜半導(dǎo)體
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A.質(zhì)量較大的原子形成的半導(dǎo)體產(chǎn)生的空穴
B.價(jià)帶頂附近曲率較大的等能面上的空穴
C.價(jià)帶頂附近曲率較小的等能面上的空穴
D.自旋—軌道耦合分裂出來(lái)的能帶上的空穴
A.復(fù)合機(jī)構(gòu)
B.能帶結(jié)構(gòu)
C.晶體結(jié)構(gòu)
D.散射機(jī)構(gòu)
A.高可靠性
B.高頻
C.大功率
D.高電壓
A.處于絕對(duì)零度
B.不含任何雜質(zhì)
C.不含任何缺陷
D.不含施主
A.點(diǎn)陣中的金屬原子間隙
B.一種在禁帶中引入施主的點(diǎn)缺陷
C.點(diǎn)陣中的點(diǎn)陣中的金屬原子空位
D.一種在禁帶中引入受主的位錯(cuò)
最新試題
MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。
P溝增強(qiáng)型MOS管存在著一個(gè)柵極截止電壓。
晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。
柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會(huì)影響MOS管的閾值電壓。
半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。
理想的MOS管，柵極加上偏壓之后，溝道表面將產(chǎn)生一定厚度的耗盡層。
雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。